台灣生醫上市櫃與興櫃公司總市值為493億美元，規模相較國際大廠仍有一段距離。由於台灣本土藥物市場有限、生醫產業在前期又需投入高昂的研發成本，因此對台灣生醫企業來說，出海國際化不是一個「option」，而是一個「must」，生醫企業從起步的第一天就要開始思考未來如何出海發展，尋求更多資金及更廣大的市場。

現任AGM International Group共同創辦人暨董事長靳嚴博醫師，是首位獲得美國富比士「30位30歲以下精英榜」（Forbes 30 under 30）肯定的台灣醫師，同時也協助哈佛醫學院規劃給生醫高階經理人的教育計劃。靳嚴博赴哈佛大學研究生醫科技商業化流程及策略，並曾任職於美國麥肯錫（McKinsey）管理顧問公司，協助企業解決複雜的商業問題，主要負責亞洲生醫及科技公司國際商務開發、授權合作（in-licensing/out-licensing）、募資諮詢及併購/上市策略規劃。在台北醫學大學生醫加速器 BIOMED ACCELERATOR日前主辦的講座中，靳嚴博以他在哈佛麥肯錫經驗，和台灣產業界分享生醫科技要成功商業化的創新策略。

台灣生醫產業的特殊性

靳嚴博指出，生醫產業前期需投入高昂的成本，且要背負極高的風險，是生醫產業與其他行業不同的特殊性。2018年美國每款新藥的平均研發費用約需5億美元，加上研發中止的其他成本，平均每款新藥研發耗資8億美元。美國藥物研發公司平均約投入25%利潤用於研發，相較軟體和半導體等其他研究密集型產業，平均研發費用占比為15%，藥物研發的成本相對更高。尤其在2017年後，美國PL 115-97法案降低企業研發費用的免稅額度，以及孤兒藥研發成本的稅收減免額度，進一步提高美國藥物公司的研發成本。

觀察台灣的生技市場會發現，目前台灣有224間生醫上市櫃與興櫃公司，總市值為493億美元[1]，2023年總營收為233億美元。台灣生醫上市櫃公司占總體上市櫃公司總市值僅1.6%，生醫產業的占比相對低，全球前五大藥廠2023年單一公司的營收，都超過台灣生醫產業的總市值，顯示台灣生醫產業規模相較於國際仍有一段距離。靳嚴博認為，台灣和國際生醫規模的差距，導致台灣必須要精準選擇項目，我們沒有辦法跟國際級大藥廠或是擁有比較多的資源國家，直接競爭需要燒很多錢的大題目，台灣必須「聰明選題」才有機會。

考量到台灣本地市場規模，對台灣生醫企業來說，「出海國際化」不是一個「option」，而是一個「must」必選項，台灣的自費藥市場規模有限，多數新藥健保給付新藥價格低於歐美國家中位數，對研發型生技公司而言，難以回收前期研發投入成本。靳嚴博進一步分析，美國人口為台灣16倍，台美新藥平均藥價平均差異為3.1倍，換算下來等於50倍的估值差異，台灣生醫公司能從本地資本市場籌資的金額有限，生醫企業必須出海尋求更多資金及更大的市場。對於台灣的生醫產業來講，從起步的第一天就要開始去想：「我什麼時候要去對接國際資金？什麼時候要進入國際市場？」

認識生醫企業出海的資金來源

既然台灣生醫企業要出海發展，就必須具備與國際資金接軌的能力，了解不同資金來源非常重要，包括早期階段的創投（Venture Capital）和研究基金（Research Contract）、中期的策略合作夥伴（Strategic Partners），中後期的私募基金（Private Equity）和交叉基金（Cross-Over Fund）。

創投和私募基金的分別在於，創投可以承擔更大的風險和更大的不確定性；私募基金只願意投資比較穩的新創，必須是一間公司至少已經至少賺了3年的錢，加上不錯的營收成長狀況，才會列入私募基金的考慮範圍。雖然私募基金願意接受的風險值會比較低，但確定投資後的資金非常可觀，私募基金出手的金額至少都是5,000萬美元起跳。靳嚴博指出，比較有規模的創投，不會青睞市場已經太成熟、缺乏想像空間的項目，舉例來說，如果要投資一間公司到火星上面開發新的人類食物，私募基金會認為根本不存在這個市場，絕對不會給你錢；但如果你能描述得很合理、加上你的團隊正確，可能會有創投願意投資，這就是創投跟私募基金主要的差異。

至於開發中的科技，仍處於實驗性階段，沒有辦法量化市場需求的投資回報，則可以考慮申請研究專案的資金，因為全球頂尖的生技創投，每天要看的案子非常多，如果創投覺得你應該待在學校實驗室裡面，把一些實驗做完的話，絕對不會現在投你錢；因為一旦投錢變成公司之後，就要每天開始不停燒錢，營運壓力隨之湧現，有些事情就是要在設立公司之前先做完才是正解。

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今年亞洲生技大展涵蓋21個展區，其中「政府學研區」集結了政府各單位與財團法人最新的生技研發成果，透過亞洲生技大展呈現最新的應用與服務。

經濟部產業技術司（生技中心+工研院+食品所）

後新冠時代的來臨，生醫產業倍受矚目，經濟部產業技術司戴建丞簡任技正表示，近年來台灣的半導體產業攫取國際及國內所有人的眼光，為此Bio Asia技術司專館，整合工研院、生技中心、食品所三大法人，精選10項科專生醫領域前瞻技術向各界展示。

工研院今年共展出九項前瞻技術，展館中的兩大亮眼成果包括：第一，針對男性常見的前列腺（又稱攝護腺癌）復發後五年存活率不到三成的狀況，透過科技專案開發出蛋白質降解新療法，讓受惠病患更普及，抑制癌症效果更佳。第二，開發出「新穎肌理化植物肉技術」，讓植物肉打造出「真肉口感」，擁有雞、豬、魚或牛肉口感無違和，無須加入黏著劑等添加物，並將於今年底前規劃設立衍生新創公司。經濟部將持續不斷投入豐沛資源，打造台灣成為「創新生物製造基地」。

工研院生醫與醫材研究所所長莊曜宇表示，本次生技展中，除了前列腺癌新藥外，今年也推出完整的細胞治療生產解決方案。包括「異體骨髓間質幹細胞」（Mesenchymal stem cell；MSC）原料庫，可用於輔助治療急性心肌梗塞、糖尿病傷口修復，目前打造的原料庫產量可達數萬劑，相關研發已進入臨床試驗。此外，還有幫助生產MSC細胞製劑的「貼附型細胞自動化生產系統」，可幫業者打造專屬設備；以及「免疫細胞封閉式生產系統」，可讓細胞從活化、轉導、擴增等生產階段都能單獨客製，再搭配創新型「仿生多突狀磁珠」（iKNOBeads）等技術，可讓製程從過去最多兩周減為一周，產量是原本1.5倍等，以此協助台灣再生醫學產業走向智慧製造新時代。

經濟部技術處處長邱求慧表示，經濟部為推動生醫產業發展，四年投入百億進行前瞻技術研發，包括核酸藥物、細胞治療、數位醫療、委託開發暨製造服務（CDMO）等四大領域，希望透過科技專案打造台灣成為「創新生物製造基地」，從藥物原料、製造、設備，甚至是居家健康取向的替代食材，均能完整布局。像是去年鎖定眼科，打造出全球首創的雙標靶青光眼藥物，及眼滴劑型黃斑部病變眼藥水，已技轉信力生技，技轉後青光眼已進入臨床試驗一期、濕式黃斑部病變進入臨床二期。在眼藥開發上，除青光眼和黃斑部病變外，現能針對更多眼疾，包括葡萄膜炎、乾眼症、角膜血管新生等疾病，協助業者研發眼藥。這次參與Bio Asia生技大展，希望能讓產業及民眾瞭解政府投入在生醫科技的研發進度和成果外，更期待能促成更多台灣與國際生技產業的實質交流合作，幫助我國生醫產業轉型升級、提升競爭力。

在生技中心的部分，今年以「深耕精準醫療 打造健康台灣」為主軸，展出重點除了造福血癌患者的「新穎FLT3抑制劑血癌精準治療藥物」外，還有獨步全球的「核酸肝靶向傳輸平台」，讓核酸藥物精準進入肝細胞內進行基因調控，抑制變異蛋白質的合成。此技術更可大幅減少病患用藥頻率，從過去一天三次，減少為一季一次，大幅增加病患服藥順從性，對多種代謝性疾病多數病患治療將有莫大的助益，未來在臨床應用及商業化都具有無限潛力。

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眾所周知，學界研發資源充沛，產業界商品化及行銷能力強，兩者強強結合對產業發展絕對有正向影響；「產學合作」不管在那一個領域都是可以讓產業蓬勃發展的催化劑，在生醫產業尤其如是。相較於傳產及一般ICT產業，生物科技研發耗時更久，再加上後續臨床試驗需時甚久，可以說是一場持久戰；對藥廠來說，成本相當高昂。因此，「產學合作」、「產學合創」近年在生醫界蔚為風潮，在年度盛事「亞洲生技大展」中，產學育成區的規模都相當盛大。

《2024亞洲生技大展》的「產學育成區」可分14大區，如圖1所示，在14區中有4個科研產學平台，當中有不少新創育成公司與大學研發中心共同展出。整個「產學育成區」的參展學校及廠商數量眾多，可參考「產學育成區」廠商列表。[1]本文將介紹部分亮點。

臺灣大學系統科研產業化平台

「臺灣大學系統科研產業化平台（Global Industry Platform of NTU System）」連結國立臺灣大學、國立臺灣科技大學、國立臺灣師範大學、長庚大學，與明志科大等，匯集一流學府研究能量之實力，由具多元領域經驗的資深產學顧問專家領航，提供一站式顧問服務，規劃全方位的產學及智財推動，透過客製化的產學合作協助企業會員面對當前挑戰並展望未來。平台願景為鏈結國際知名友校與產業聚落，共同推動海內外的產學合作、人才培育與新創輔導等發展領域，充分發揮大學的社會責任，引領新世代的科技產業發展，強化台灣全球競爭力。

臺北醫學大學：北醫生醫加速器

北醫生醫加速器（以下簡稱「加速器」）是台灣首家國際級醫療大學加速器，具備完善醫療市場、臨床醫療優勢、生醫與人工智慧人才，專注於「數位醫療」、「人工智慧」、與「醫療器材」三大主題，協助團隊資金募集、社群與國際資源鏈結、輔導技能與降低開發風險、臨床試驗規劃、建立醫療通路，善用北醫醫療臨床場域與專業醫師，輔導團隊臨床試驗研發策略，加速團隊研究成果商品化並鏈結國際。

加速器自2019年籌辦至今，與國內外重要產業界夥伴共同合作辦理生醫新創團隊加速器計畫、合作輔導新創團隊對接專業臨床資源及業師，至今有效輔導多家國內外新創團隊，持續不斷鏈結國際生醫創新生態圈合作夥伴，期待協助更多新創團隊進入國際市場。

北醫雙和生醫院區於2023年12月底在雙和醫院旁邊有兩棟新的建築物落成，第一及第二醫療大樓遙相呼應，一邊是北醫的醫工及醫技單位，而另外一邊則是北醫事業發展處產業鏈結中心的大本營。北醫生醫加速器營運經理賴宜暄指出，北醫事業發展處創建雙和生醫園區就是希望將學研單位與雙和醫院，透過加速器這個 「橋」鏈結在一起。北醫產業鏈結中心所做的就是把一些生醫企業去做商業化加速，讓這些企業可以與醫院做產品的驗證及合作，使其成果在市場上呈現，然後在未來走向到國際，達成我們其中一個目標「Gateway to Asia」。

北醫生醫加速器是一個比較特別的單位，加速器專注於新創團隊，當中不僅有北醫本身衍生的新創，還有外部招募的。賴宜暄指出加速器每年大概招募約10個團隊，目前已共培養了60個海內外的團隊。加速器輔導這些團隊，成為他們在台灣的第一個驗證的場域，或是第一個客戶；協助他們建立自己的商業模式，然後把這樣的一個模式複製到海外。

加速器與美國UC Berkeley、日本東北大學、東京大學等等，都有很好的一個鏈結關係，這些都是加速器的團隊的需求，加速器也協助把其團隊推向到海外。賴宜暄表示，就今年（2024）截至7月為止，加速器已經有26個團隊參加了海內外各式各樣的大展，有4個團隊獲得國際大獎。而加速器在展會（如生技大展）中協助這些廠商技術露出是很重要的一件事，因為團隊需要一個舞臺來把他們成果展現出來，以找到他們的合作夥伴或是投資人。加速器最重要的任務就是把這個舞臺搭建出來、把人邀請過來，然後在北醫的羽翼下持續發展。

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鍺是一種半導體材質，電性質介於一般金屬和絕緣體之間，可用於製造電晶體和各種電子裝置，因此鍺的特性可應用於半導體、核物理探測、光纖通訊、紅外光學、軍用夜視鏡、太陽能電池、化學催化劑、生物醫學等終端應用。鍺也是重要的半導體材料，目前已經被用在半導體先進製程環繞式閘極(Gate all around: GAA)的製作中，以矽鍺磊晶的方式製成環繞式閘極電晶體。本文關注鍺在這方面相關應用及其環保回收綠色技術的國際間重要專利，啟發國內業者面對出口管制的因應措施，除了友岸外交、建立結盟網絡之外，強化綠色循環回收技藝不失為一個解決之道，同時從3奈米邁向2奈米先進半導體製造技術中，鍺在其中亦扮演關鍵角色。

電子廢棄物回收鍺

美國專利US20240010513A1揭示了一種利用有機酸從電子廢料中提取鍺(Ge)的環保方法[1]，滿足高科技產業對鍺日益增長的需求，同時解決傳統提取方法的環境問題，特別針對含有鍺的材料，如二極體、光纖和其他電子元件。製程包括粉碎廢料、磁選和用乙酸等有機酸浸出，鍺隨後通過過濾、pH調整和沉澱回收。詳細主要步驟為(1)研磨：將含鍺的電子廢料研磨成顆粒狀混合物。這增加了表面積，使鍺更容易被浸出；(2)磁性分離：在進行下一步驟的浸出前，可以對顆粒狀混合物施加磁力以去除磁性顆粒；(3)浸出：顆粒狀混合物經過浸出溶液(leaching solution)處理，浸出過程在至少約25°C的溫度下進行，持續時間從約5分鐘到約360分鐘。其中，浸出溶液包括水和主要為有機酸的浸出劑，有機酸濃度可從約1 M到約10 M不等。該方法中使用的有機酸之pKa值約為4到5，且在25°C下與水混溶。合適的有機酸例子包括醋酸、丙酸、丁酸、琥珀酸和檸檬酸。若使用醋酸的話，則可以形成醋酸鍺(Ge(CH₃COO)₂) ；(4)攪拌：在浸出過程中，以約250 rpm到約700 rpm的速度攪拌混合物，以確保固體與浸出溶液之間充分混合和接觸；(5)回收：浸出後，從溶液中回收鍺。回收過程包括：過濾、調整溶液pH值、沉澱鍺化合物。

這種創新且環保的方法，用於從電子廢料中提取鍺。使用如醋酸等有機酸高效地從研磨後的電子元件中浸出鍺，並針對最大回收率優化了具體參數。

製程廢氣回收鍺（環境萃取）

日本專利JP2022032523A揭示了一種從光纖製造過程中產生的廢氣中回收鍺的成本效益方法[2]，使用濕式或乾式集塵器收集含鍺粉塵，將鍺提取到液體中，並沉澱鍺化合物，提高了回收效率，同時降低成本和環境影響。其回收過程包括(1)分離含鍺粉塵：使用濕式或乾式集塵器從廢氣中收集含鍺粉塵；(2)將鍺提取到液體中；(3)將鍺提取液與固體殘渣分離；(4)沉澱含鍺化合物；(5)分離沉澱的鍺化合物。此外，還可通過分級處理將粗粒和細粒的沉澱物分開，其中可以將細粒循環回過程中以作為晶種，促進沉澱的高效進行。

這種高效回收光纖製造過程之廢氣中回收鍺的方法，包括分離含鍺粉塵、將鍺提取到液體中、沉澱和分離鍺化合物等諸多步驟以從廢氣中分離和提取鍺。通過pH和溫度調整、過濾和沉澱技術，實現了高回收率且成本低廉的鍺回收過程。此方法不僅提高了鍺的回收效率，還提供了環保的解決方案。

摻鍺到矽奈米線形成矽鍺(SiGe)通道提升積體電路性能

美國專利US20210408285A1 提供一種利用鍺摻雜的奈米線/奈米帶通道結構的環繞式柵極 (Gate-all-around, GAA)積體電路結構[3]。這些結構旨在通過摻鍺到矽奈米線中形成矽鍺通道，來提升積體電路的性能，特別是提高電晶體的遷移率和效率，其製程與現有的半導體製造相容。

該專利所主張的積體電路結構包括在基板上方垂直排列的奈米線。每根奈米線在其側向中點處的鍺濃度比側向兩端更高。每根奈米線的鍺濃度從側向中點(lateral midpoint)處的矽鍺濃度（矽濃度：50%，鍺濃度：50%）到兩端的矽鍺濃度（矽濃度：90%，鍺濃度：10%）逐漸遞減。此外，該專利所揭示的半導體結構，亦包括垂直排列的奈米線側向兩端放置如摻硼矽鍺的磊晶源極或汲極結構。此結構對奈米線施加單軸壓縮應變，提高pMOS電晶體中的電洞遷移率，提升開關速度和效率。所謂的磊晶源極或汲極結構在本專利申請案中是指生長在奈米線的兩側，即電晶體的源極和汲極區域的晶體層。專利結構可用於製造邏輯、類比和高壓設備。

該專利所主張的製造方法包括在釋放式蝕刻(release etch)後，低溫鍺包覆層被磊晶沉積到矽奈米線上。高溫退火過程使鍺擴散到矽中，形成矽鍺奈米線通道。該製造方法可以選擇性地應用於在單一堆疊中創建nMOS和pMOS電晶體，從而增加電晶體密度並簡化柵極佈局。此外，該專利所揭示的製造方法允許高性能矽奈米帶nMOS和矽鍺奈米帶pMOS電晶體的器件整合。製造方法與當前半導體製造相兼容，在不降低nMOS電晶體性能的情況下提升性能。該專利所揭露的製造方法亦可調整為選擇性去除部分的奈米帶，通過調整堆疊中活性奈米帶的數量來微調電晶體的驅動電流。

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